2011 年12月14日–应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出新系列的100伏(V)沟槽型低正向压降肖特基整流器(LVFR)，用于笔记本适配器或平板显示器的开关电源、反向电池保护电路及高频直流-直流(DC- DC)转换器等应用。

新的NTST30100CTG、NTST20100CTG及NTSB20U100CTG系列器件采用沟槽拓扑结构，提供优异的低正向压降及更低漏电流，因而导电损耗低及大幅提升的电路能效，帮助设计工程师符合高能效标准规范要求，不会增加复杂度，例如无须同步整流。

此 LVFR系列利用沟槽金属氧化物半导体(MOS)结构，在正向偏置条件下提供更大的导电区，因而显著降低正向压降。在反向偏置条件下，此结构产生“夹断” (pinch-off)效应，从而降低漏电流。跟平面型肖特基整流器不同，安森美半导体的沟槽型LVFR的开关性能在-40°C至+150°C的整个工作结点温度范围内都很优异。

为了证明LVFR的优势，安森美半导体将其30A、100VLVFR(NTST30100SG)与标准的30A、 100V平面型肖特基整流器进行比较。基于65W电源适配器测试的数据显示，使用LVFR比使用平面肖特基整流器的能效高1%。如此显著的能效提升使电源设计人员能够符合规范要求，同时不增加方案的复杂度及成本，例如无须同步整流。

安森美半导体功率分立分部高级总监兼总经理 JohnTrice说：“我们的客户力求其产品设计更高能效，面市已久的平面型肖特基整流器根本无法高性价比地提供沟槽型LVFR系列所具的性能及能效。 LVFR在扩展温度范围内提供优异正向压降及反向漏电流性能，超出我们客户提升电源能效的严格规格。”

安森美半导体新的LVFR器件及各自典型性能特性如下表所示：

安森美半导体

器件型号简介封装VF (V) at IF =5A 及 TJ=125°C

NTST30100SG

NTSB30100S-1G30-A (30A X 1)TO-220 AB

I2PAK0.39

NTST30U100CTG

NTSB30U100CT-1G

NTST30U100CTH30-A共阴极(15A X 2)

(H->无卤素)TO-220 AB

I2PAK

TO-220 AB0.42

NTST30100CTG

NTSB30100CT-1G

NTST30100CTH30-A共阴极(15A X 2)

(H->无卤素)TO-220 AB

I2PAK

TO-220 AB0.45

NTST20100CTG

NTSB20100CT-1G20 -A共阴极(10A X 2)TO-220 AB

I2PAK0.5

NTST20U100CTG

NTSB20U100CT-1G20 -A共阴极(10A X 2)TO-220 AB

I2PAK0.5

关于安森美半导体

安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战，既快速又符合高性价比。公司在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的世界一流、增值型供应链和网络。更多信息请访问 http://www.onsemi.cn。