富士电机株式会社(东京都品川区、代表取缔役社长：北泽通宏)推出业内最高水平的低损耗MOSFET“SuperJ-MOS系列”产品。

1.上市目的

如今，人们对地球环境越来越关心，在不断清洁化的IT领域及新能源等领域中，可实现高效电力变换的功率半导体受到广泛瞩目。

其中，MOSFET注1作为电力转换过程所使用的主要装置，对其降低损耗的要求越来越高。

此次，富士电机推出的SuperJ-MOS系列产品，采用具有新开发的低通态电阻特性的SJ结构注2，可大幅度地降低损耗。

据此，可通过提高设备的电力变换效率减少耗电，为实现低碳社会作贡献。

2.产品特点

・降低通态电阻70%注3，达到业内最高水平的低损耗。

・结合最新降低开关损耗的技术，使元器件总损耗降低14%注4。

3.主要规格(代表机型)

4.主要用途

・服务器、不间断电源、播放设备等信息通信设备;

・面向太阳能电力调节器等新能源领域的电力变换装置等。

5.询问处

富士电机株式会社营业本部电力电子设备统括本部第3统括部营业第1部

☎03-5435-7256

注1MOSFET：Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金属氧化物半导体场效应管。

注2SJ结构：电荷非平衡Superjunction结构

其特点是，由于是使MOSFET的耐压层的p区和n区交互存在的结构，可使n区的杂质浓度提高，所以可大幅度降低阻值。

以往面状结构的MOSFET，由于是通过向高阻抗的n层延展电绝缘区(过流层)来确保耐压水平的，因此通态电阻无法降至一定值以下。

而SJ结构，是通过在n区形成p区，这既可以在纵向又可在横向延展过流层，因此，即使n层阻抗下降，依然可以确保耐压水平。据此，可实现超过以往面状结构理论极限的低通态电阻。

注3、4与本公司以往产品相比