日前消息，据外媒报道，德州仪器(TI)宣布推出业界首款支持集成型MOSFET的100V同步降压稳压器，进一步壮大其高电压负载点产品阵营。

该 600mALM5017是最新系列降压开关稳压器中的首款产品，可在提高电信、工业、智能电网以及汽车系统高电压可靠性的同时，缩小PCB面积，降低系统成本。LM5017与获奖WEBENCH在线设计工具配合使用时，可简化高电压DC/DC转换，加速设计进度。如欲了解更多详情，或订购样片与评估板，

600mALM5017 以及将于今年4月份提供的300mALM5018与100mALM5019能够以高达100V的输入电压实现直接负载点稳压，无需外部瞬态电压抑制器或钳位便可为高电压应用实现可靠运行。集成型MOSFET无需空转(freewheeling)肖特基二极管，可提高效率。引脚兼容型4毫米x4毫米LLP封装可提供一种可扩展解决方案，能够充分满足各种电源需求。恒定导通时间(COT)控制架构无需环路补偿，可实现优异负载瞬态响应，进一步缩小PCB面积，简化电源设计流程。

此外，最新开关稳压器还可用作隔离式偏置电源，满足系统对小型高效率隔离式电源的需求。与其它同类型反激式解决方案不同，LM5017能够在高达1MHz的开关频率下工作，显着缩小变压器尺寸，降低成本。

对于需要固定频率工作的应用而言，TI100VUCC25230隔离式偏置电源开关转换器不但可支持高达200mA的输出电流，而且还使用支持输入前馈的电压模式控制拓扑。

同步降压稳压器的主要特性与优势：

9V至100V的宽泛输入电压可为各种设计方案提高系统可靠性;

600mALM5017、300mALM5018以及100mALM5019引脚兼容，支持非隔离式降压及隔离式电源应用;

COT控制架构支持快速瞬态响应，无需环路补偿，可降低成本，简化设计;

集成型高侧及低侧N通道MOSFET可提高效率，无需外部肖特基二极管;

集成型高压启动稳压器可为IC内部工作以及集成型栅极驱动器提供偏置电源;

峰值电流限制与过温检测机制可防止器件出现过载。欠压阈值与磁滞可独立编程。