高灵活低侧栅极驱动器带来高效率与高电源密度

日前，德州仪器(TI)宣布推出用于配合高密度电源转换器中MOSFET与氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)使用的低侧栅极驱动器。LM5114 可驱动同步整流器与功率因数转换器等低侧应用中的GaNFET与MOSFET。该系列加上2011年推出的业界首款100V半桥GaNFET驱动器 LM5113，可为高性能电信、网络以及数据中心应用中使用的大功率GaNFET与MOSFET提供完整的隔离式DC/DC转换驱动器解决方案。如欲了解详情或订购样片与评估板，敬请访问：www.ti.com/gan-pr。

LM5114可通过5V电源电压的独立源极与汲极输出(sinkandsourceoutput)驱动标准MOSFET与GaNFET。它具有使用较大或并行FET的大功率应用中所需的7.6A高峰值关断电流功能。此外，提高的下拉强度还有助于该器件驱动GaNFET。独立源极与汲极输出可取消驱动器路径中的二极管，准确控制升降时间。

LM5114低侧栅极驱动器的主要特性与优势：

•可优化升降时间的独立源极与汲极输出支持更高的效率;

•+4V至+12.6V单电源支持各种应用;

•0.23欧姆的开漏下拉汲极输出可避免无意接通;

•7.6A/1.3A峰值汲极/源极驱动器电流可最大限度减少电压突变(DV/DT)的影响;

•匹配反相及非反相输入之间的延迟时间，可降低停滞时间损耗;

•12ns典型传播延迟可在提高效率的同时，支持高开关频率;

•高达14V的逻辑输入(不受VCC影响);

•-40摄氏度至+125摄氏度的宽泛工作温度。

供货情况与封装

LM5114现已开始批量供货，可通过TI及其授权分销商进行订购。该器件采用6引脚SOT-23封装或裸焊盘6引脚LLP封装。

了解有关TI电源管理产品系列的更多详情：

•订购最新GaNFET驱动器的样片与评估板：www.ti.com/lm5114-prcn;

•全面了解所有TIGaNFET驱动器解决方案：www.ti.com/gan-pr;

•观看LM5113的实验室演示：http://www.ti.com/lm5113-prv;

•通过德州仪器在线技术支持社区咨询问题：www.deyisupport.com。

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