【新品】三菱电机开始提供新型工业用NX型1.2kV IGBT模块样品

三菱电机半导体 2026-05-21

三菱电机集团将于6月15日起陆续开始提供10款新型工业用NX型1.2kV绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块的样品。该模块专为控制机床、工业机器人和大容量电机驱动系统的逆变器而设计，配备了最新的第8代IGBT。

新品发布

工业用NX型1.2kV IGBT模块（CM1000DX-24M型号）

三菱电机集团于2026年5月19日宣布，将于6月15日起陆续开始提供10款新型工业用NX型1.2kV绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块的样品。该模块专为控制机床、工业机器人和大容量电机驱动系统的逆变器而设计，配备了最新的第8代IGBT。与现有IGBT模块相比，使用该模块可使功率损耗降低约19%，从而降低工业设备的能耗。

三菱电机将于6月9日至11日在德国纽伦堡举办的2026年电力转换与智能运动（PCIM）博览会上展出该工业用NX型1.2kV IGBT模块，并且后续计划将在中国、日本等国家的相关展览会上展出。

通过优化IGBT和二极管布局，三菱电机成功新增了额定电流达1000A的型号，为现有产品的1.25倍；同时，保持与现有产品相同的封装尺寸，实现了更高的逆变器能量密度。而且，继续使用工业NX型封装，确保了对现有模块的轻松更换，有助于缩短新逆变器的开发周期。

产品特点

第8代IGBT与现有产品相比，功率损耗降低约19%

· 专有的分裂式虚拟栅（SDA）结构，抑制了引起噪声并使高速开关复杂化的dv/dt，实现了比第7代IGBT更快的开关速度和更低的开通损耗。

· 专有的载流子等离子层（CPL）结构，抑制了关断过程中可能导致IGBT故障的过电压，并允许使用更薄的IGBT芯片，有助于降低开通、关断和导通期间的功率损耗。

· 这些技术进步使功率损耗比配备第7代IGBT的现有产品降低约19%，有助于降低逆变器的能耗。

新增最大1000A额定产品线，有助于提高逆变器输出

· 通过优化芯片上IGBT和二极管的排列，新型1000A额定型号在保持相同封装尺寸的同时，实现了现有产品1.25倍的输出能力。

与现有封装兼容，缩短逆变器开发周期

· 保持与工业NX封装相同的外部尺寸和端子位置，使新模块能够轻松安装在现有产品中，缩短逆变器开发周期。

主要规格

环保要求：符合RoHS指令（2011/65/EU，(EU) 2015/863）

为助力实现低碳世界的发展目标，对能够实现高效能量转换的功率半导体的需求正不断增长。对于让工厂机床和工业机器人中的电机能够高效运行和控制的逆变器来说，工业用功率半导体模块是其重要的组成部分。因此，必须进一步降低工业设备的能耗，这就推动了对更高效率和更大输出功率模块的需求。

自1990年首次在模块中配备IGBT以来，三菱电机以其半导体产品的卓越性能和高可靠性赢得了良好声誉，这些产品广泛应用于消费电子、汽车、工业、电力和铁路等领域。公司一直致力于降低功率损耗并提高对整体产品性能有重大影响的IGBT的可靠性。最近，三菱电机开发了采用专有SDA结构和CPL结构的第8代IGBT。

三菱电机通过及时提供满足市场对跨领域节能功率电子产品需求的产品，稳步为绿色转型（GX）做出贡献。

1 逆变器系统：由逆变器和转换器电路组成，用于高效控制工厂机床、起重机等工业设备中电机的转速和电源容量。

2 对比对象：配备第7代IGBT的现有产品CM800DX-24T1。基于三菱电机模拟结果计算，条件：2级，Vcc=600V，Io=350 Arms，M=1，PF=1，Fc=2kHz，fo=50Hz。

3 与现有产品CM800DX-24T1相比。

4 SDA结构：通过将IGBT的虚拟沟槽分为两级（上下）来优化栅极电容的结构。

5 dv/dt：电压随时间的变化率。

6 CPL结构：在芯片背面形成深n层以控制动态操作期间载流子的结构。

7 RoHS：有害物质限制指令。

文章来源：三菱电机半导体

图片来源：三菱电机半导体

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责任编辑：朱晓裔