2021年开局至今，整个存储行业可以用“凶猛”来形容，涨价凶猛、缺货凶猛。受供应链情况日益紧张、晶圆及封装资源紧缺且费用大幅上涨、投产周期延长等因素影响，导致产品成本大幅上升，不少芯片企业纷纷发出涨价通告。目前，存储行业的高景气度现象持续爆发，产业普遍出现超额下单情况，甚至竞标得晶圆产能等。未来，存储市场走势如何，持续多久，让我们静观其变。话不多说，先来一览存储大厂最新市场动向。

三星在2021年仍保持相当积极的产能扩张计划，而西安的晶圆二厂便是其中重点。三星转移到128L的过程有些延迟，但在2021年的主力仍是92L堆栈工艺。

KIOXIA和Western Digital宣布，已经共同开发了第六代162层3D闪存技术。96L BiCS4的堆迭工艺将成为Western Digital今年制造NAND Flash的主要技术。

SK海力士也持续积极提高NAND Flash堆栈的层数。2021年起也有望开始量产176L的产品。

镁光：目前镁光主要的堆栈制程仍为96L，2021上半年将加速转移到176L；因此美光也将128L制程视为是临时过渡期技术。

KIOXIA：目前KIOXIA大部分的NAND Flash产品仍采用96L BiCS4的制程生产。展望未来，KIOXIA计划今年要提高112L BiCS5产品的出货量。

INTEL：Intel计划直接从64L制程升级到144L。此外，即使Intel仍在开发TLC产品，其产品组合也会倾向于QLC架构。

满足率: 供给至Q2底仍将不足

库存: 低于正常水位

价格趋势:256Gb TLC合约价至2021年底将维持上涨态势 

控制器与被动组件:2021整年将持续短缺，台积电删减了更多给控制器厂商的晶圆供应

依应用分析2021 Q2 NAND Flash需求比重，前三名为: 

Top 1：手持式装置

Top 2：PC用SSD

Top 3：企业级SSD  

内存满足率: 供不应求  

库存: 紧张

价格趋势: 持续上涨

由于DRAM IC供不应求，价格自2021年Q1就开始上涨，且将持续到2021年底。

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