增强型Vishay Siliconix SiC620
2014-09-23
Vishay Intertechnology, Inc.公司
Vishay Siliconix SiC620输出电流超过60A，尺寸比前一代6mm×6mm尺寸缩小30%，但效率更高出3%，最高可达95%。这些器件封装的寄生参数比离散方案小，使开关频率可以达到1.5MHz，能有效提高功率密度，降低总体方案成本。
该器件包含的高端和低边TrenchFET Gen IV N沟道低导通阻抗的MOSFET，先进的MOSFET驱动IC及自举的肖特基势垒二极管，全部集成在小尺寸25mm2面积内。SiC620的驱动IC兼容各种PWM控制器，支持5V和3.3V的三态PWM逻辑。器件的驱动IC集成了零电流检测电路，可以改善轻负载条件下的效率，且自适应式死区时间控制有助于进一步提高所有负载点下的效率。保护功能包括欠压锁定（UVLO）、击穿保护和过热警告以便在结温过高时向系统发出告警。
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